台积电跃上2nm王冠！ASML最强光刻机加持，2025年量产

，所述自家也将仅有阿斯麦；也出版界最强抛光机。

这台抛光机型号为High-NA投产型EUV抛光机EXE：5200，将转用不同的镜头该系统，NA大得多。

据阿斯麦发言人援引，极更加高的抛光分辨率将准许显卡增大1.7倍，同时通量增加2.9倍。期望比3nm更加先进电源的工艺新科技，将极度依赖更加高NA EUV抛光机。

作为装配显卡最先进电源的电源，抛光机的先进电源总体等实际上尽快了显卡的DRAM工艺新科技。

现今来看，德国的ASML几乎垄断了21世纪上的更加智能手机抛光机，且需求量并不多，价格贵。

自2017年ASML第一台投产的EUV抛光机正固定式推出以来，三星集团的7nm/5nm工艺新科技，宏碁的第二代7nm工艺新科技和5nm工艺新科技的投产都是依赖于0.55数值孔径的EUV抛光机来进行产出。

老牌晶圆经销商智融更加高科技的更加高管Dan Hutcheson援引，‘High-NA EUV抛光机是显卡装配业的下一个关键更加高科技有所突破，仅有者就都会开创行业。’

宏碁均权负责研制的更加高阶副总裁米玉杰援引：‘2024年的此应运而生，就都会用来开发相关基础设施与类型工艺新科技，借以推动能满足顾客的更加高科技’。不过他没所述还给机器后何时正固定式在显卡DRAM中都常用。

而NVIDIA是早已达转成协议了自己才是均21世纪第的公司都会收到阿斯麦供货的显卡厂内，2025年就都会开始启用此抛光机造显卡。

1nm，期望可期

1987年转成立，35年的时间，宏碁从名不见经传转成长为晶圆该美国公司‘一哥’，甚至在此之后转沦为均21世纪市价最更加高晶圆大企业。

国际上，我们看到了宏碁促使将工艺新科技的先进电源DRAM开创极更加高点，7nm，5nm，3nm，2nm，1nm．．．

宏碁在先进电源DRAM方面称得上是一骑绝尘。

2020年，5nm投产。3nm，宏碁一只独秀。2nm原订在2025产出。

在2021年年底，宏碁正固定式提出批评2nm以及早先1nm的工厂内扩建计划。原订总投资总金额将更加高达8000亿至1万亿台币（平均1840-2300亿元），占地近100万平方米。

另外，宏碁1nm研制也赢得了一些进展。

在2021年，清大与宏碁、宾夕法尼亚州麻省理工学院携手深入研究推断出二维材料转化‘半镀层锶（Bi）’能达极低电阻，相近量子超强。

这项深入科学论文由清大电机系暨光电所教授吴志毅，与台湾电子元件和MIT深入研究团队共同完转成，已在国际期刊Nature上发表，有助实现晶圆1nm以下DRAM挑战。

可以时说，宏碁1nm也是期望可期。

那么，现阶段各家在先进电源DRAM纷争上怎么样了？

‘盟主’先进电源DRAM纷争

宏碁，与NVIDIA、三星集团并援引晶圆装配业‘盟主’。在显卡DRAM渐渐增大的一路上，三大巨头你追我赶。

2015年，14nm以前开始，转沦为显卡DRAM转变的一个分水岭，而联电却在此止步。

到了2017年步入10nm以前，NVIDIA却死死地卡在10nm上，导致i5和i7处理器由于良率问题而因故没有交货。

紧接着7nm的准备好，NVIDIA还是没有实现有所突破，同时宾夕法尼亚州另的公司显卡该美国公司巨头格芯也是在7单晶DRAM中都倒下。

2020年，DRAM开始进入5nm以前，只有三星集团和宏碁可以一拼。

当NVIDIA再度达转成协议丧失两年的研制时间段之时，三星集团和宏碁一夜之间把5nm投产提上了这两项。

要知道，现今公开援引有5nm显卡装配能力也的只有宏碁和三星集团两家。

而似乎第一款Dreamcast的5nm显卡，是的商品2020月初夏发布都会上首次出炉的A14仿生显卡，这款SoC的电子元件数量达到118亿个。

而第二款用上5nm显卡的则是录入153亿个电子元件的摩托罗拉麒麟9000。

这两款显卡都是宏碁该美国公司产出的，并且转用的是FinFET指令集。

宏碁5nm虽然早已投产，但产能还是很有限，还在年中提高中都。

当宏碁在2nm研制上切入GAAFET（耸立电子元件电子元件）新科技时，其竞争对手三星集团则早在2年前其捏造3nm新科技工艺新科技时，就达转成协议从FinFET转向GAA，并‘大放厥词’：2030年要少于宏碁，赢得均21世纪显卡该美国公司三阳发言权。

这也援引得上为两家大企业2-3nmDRAM的市场之战吹响了号角。

为了偷在宏碁之前完转成3nm的研制，三星集团的显卡装配工艺新科技由5nm实际上上升到3nm，4nm则实际上再多。

在宏碁和三星集团都在抓紧研制2nm的同时，蓝色巨人首次放出一颗核弹。

似乎部分人记得，IBM也曾是的公司大牌的显卡生产商。就在2021年5月初，这家美国公司首次对外出炉均21世纪第一个2nm显卡，均部都是指甲盖大小。

那么NVIDIA呢？2021年年底，NVIDIA不甘落后，也达转成协议了自己的均新路线图，并为显卡DRAM定名为：Intel 7，Intel 4，Intel 3，Intel 20A。

这家美国公司还出炉，将于2024年月初初推出的Intel 20A都会转沦为DRAM新科技的又一个分水岭。它仅有两大独创性新科技——RibbonFET的均新电子元件指令集，名为PowerVia的史无前例的更加高科技新科技，可优化光能传输。

不管怎么时说，NVIDIA转成了表弟，宏碁转沦为似乎的该美国公司大哥。

宏碁，三星集团、NVIDIA对最先进电源DRAM的追赶，正是想要在21世纪先进电源DRAM领域一决更加高下。

参考资料：

https：//www.tomshardware.com/news/tsmc-reveals-2nm-fabrication-process

https：//www.reuters.com/technology/tsmc-says-it-will-have-advanced-asml-chipmaking-tool-2024-2022-06-16/

https：//www.anandtech.com/show/17452/tsmc-readies-five-3nm-process-technologies-with-finflex

https：//www.elecfans.com/news/1783961.html

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