取代GAA的未来晶体管技术--CasFET（级联场效应晶体管）

杜克大学的研究成果人员在先前建筑设计更进一步二极管总体达到了一个典范，这可以延长硅基半导体的寿命。这种来由CasFET（级联场效应二极管）的从新建筑设计是在二极管微型化道路上打下基础的又一步，可以意味着不够更高的开关电源、不够更高的功耗和不够密集的建筑设计。

杜克大学电气与计算机工程系 Katherine Ngai Pesic 和 Silvaco 研究成果顾问教授蒂尔曼·库罗拉 (Tillman Kubis) 透露，这项研究成果是在二极管高性能准确度缩减的情况下进行的，近年来，二极管高性能的准确度慢慢缩减，成本也在慢慢攀升。

"二极管需要有限极高的导通电场和有限更高的关断电场，在这两者之间进行切换的相异要有限小，"Kubis问道。"这些挑战在过去八年大约大大减缓了二极管的缩小速度，使得大受欢迎不够强而有力的几代CPU越来越瓶颈。" 这种瓶颈的一个尤其明显的案例是英特尔向10纳米和7纳米传统工艺的过渡，其当中出现了一些延迟，这有效地AMD在CPU领域 "毫不客气地 "原先崛起。

三星早就其 3nm 传统工艺当中转用 GAAFET（Gate All Around Field EffectTransistor）极高效率，原计划今年将意味着原形机。该极高效率是FinFet的后继者，它原先建筑设计了二极管，使其在通道的四个侧面都有栅极。这缺少了与其相接单元不够好的二极管绝缘，受到限制了电源截获，并容许在相同的开关效果下应用不够更高的电源。这反过来又使不够多的二极管可以不够紧密地布防在一齐，提极高密度。三星透露，这种分析方法可以将二极管建筑设计的尺码缩小 35%（与 5nm FinFET 相比）。然而，原计划GAAFET极高效率将比FinFET不够快地枯竭的。

杜克大学的 CasFET 建筑设计：时是晶格层是在此之后建筑设计取得成功，可以改善二极管的高性能

CasFET 的开发是二极管制造建筑设计的下一个可能会步骤，它布防了直角二极管终端顺时针的时是晶格在结构上，容许可切换的级联状态。这实际上利用了从量子级联电子元件当中学到的效应，并且基本上容许不够细粒度的电源依靠。这是半导体缩放的受到限制因素之一。

该一个团队现有早就开发第一个CasFET原形，并仍处于整体在结构上和塑料的建筑设计阶段，正试图在成本、塑料可用性、从十分相似的二极管制造过渡的功用和精度之间找到正确的最大限度。就现有而言，该原形并没有缺少他们所找出的精度特征。然而，这项文书工作很有希望，杜克大学已经向加拿大专利和商标局注册了专利必要措施。

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